BSC117N08NS5ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD33CN10NGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC117N08NS5ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS (Trench) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |