BSC520N15NS3 vs BSC520N15NS3G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC520N15NS3 द्वारा Infineon और BSC520N15NS3G द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC520N15NS3 | BSC520N15NS3G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 21 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 84 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 52 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3 V | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 57 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC520N15NS3 G |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 52 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ptot) at TC=25C | — | 57 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC |
| Channel Type | — | N-Channel (normal level) |
| Typical Application | — | DC-DC conversion, synchronous rectification |