BSC520N15NS3 vs BSC520N15NS3G موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC520N15NS3 بذریعہ Infineon اور BSC520N15NS3G بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC520N15NS3 BSC520N15NS3G
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 21 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 84 A —
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 52 mOhm —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3 V —
Power Dissipation (TC=25C) 57 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C -55C to +150C
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC520N15NS3 G
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
پن کی تعداد — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں