BSC520N15NS3 vs BSC520N15NS3G So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC520N15NS3 bằng Infineon và BSC520N15NS3G bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC520N15NS3 | BSC520N15NS3G |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 21 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 84 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 52 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3 V | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 57 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC520N15NS3 G |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 52 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ptot) at TC=25C | — | 57 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Số chân | — | 8 |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC |
| Channel Type | — | N-Channel (normal level) |
| Typical Application | — | DC-DC conversion, synchronous rectification |