BSG0813NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSG0813NDIATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0901NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSG0813NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Power Block OptiMOS 25V
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) N-Channel
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
पैकेज PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Technology Generation OptiMOS 5 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
टोपोलॉजी Synchronous buck half-bridge —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
पिन काउंट — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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