BSG0813NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSG0813NDIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSG0813NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Power Block OptiMOS 25V
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) N-Channel
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
پیکیج PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Technology Generation OptiMOS 5 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ٹوپولوجی Synchronous buck half-bridge —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
پن کی تعداد — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں