BSG0813NDIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSG0813NDIATMA1 توسط Infineon و BSZ0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSG0813NDIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Power Block OptiMOS 25V
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) N-Channel
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
بسته‌بندی PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Technology Generation OptiMOS 5 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
توپولوژی Synchronous buck half-bridge —
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
تعداد پایه — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت