BSL308CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308CH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS127H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSL308CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
पैकेज PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product family convention) Yes, per IEC 61249-2-21
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +150 C
पिन काउंट — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

डेटाशीट और संसाधन

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