BSL308CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL308CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
العلبة PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) Yes, per IEC 61249-2-21
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
عدد الأطراف — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر