BSL308CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL308CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL308CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
پیکیج PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) Yes, per IEC 61249-2-21
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
پن کی تعداد — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں