BSL308CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL308CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS127H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL308CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
بسته‌بندی PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) Yes, per IEC 61249-2-21
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
تعداد پایه — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت