BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP125H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSR315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | ±20 V (max VGS) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| पिन काउंट | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |