BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP125H6327XTSA1 bằng Infineon và BSR315PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon
BSP125H6327XTSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | ±20 V (max VGS) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Số chân | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |