BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP125H6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP125H6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SC59-3 / SOT-23-3
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] ±20 V (max VGS)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (Unlimited) —
Qualification Automotive / Industrial grade —
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (TJ)
پن کی تعداد — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں