BSP125H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP125H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSR315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | ±20 V (max VGS) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | — |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| Series | — | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | — | P-Channel, Enhancement Mode |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |