BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP129H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP129H6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP135H6327XTSA1 | BSP129H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, typical) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 350 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.8 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Threshold Voltage VGS(off) | — | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] |
| dv/dt Ruggedness | — | Yes (rated) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | SIPMOS (vertical DMOS) |
| Drain Terminal | — | Tab (pin 4) |