BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP129H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C (junction)
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin