BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP315PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction, typical) |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |