BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP135H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP315PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction, typical)
Hộp PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá