BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP315PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP315PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction, typical)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Operating Mode — Normally ON (depletion)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin