BSP88H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP88H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP92PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon
BSP92PH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP88H6327XTSA1 | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | -250 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | -260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1.8 W (Ta) |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +150 C | -55C to +150C (Tj) |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET |
| Channel Polarity | — | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| पिन काउंट | — | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) |