BSP88H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP92PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP88H6327XTSA1 | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | -250 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | -260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1.8 W (Ta) |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Configuration | Single | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +150 C | -55C to +150C (Tj) |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET |
| Channel Polarity | — | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Pin Sayısı | — | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) |