BSS306NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS306NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और 2N7002H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS306NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
पैकेज SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial / Commercial Grade
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (Tj)
Channel Mode — Enhancement
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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