BSS306NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS306NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve 2N7002H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS306NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial / Commercial Grade
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (Tj)
Channel Mode — Enhancement
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin