BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ065N03LSATMA1 द्वारा Infineon और BSZ130N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ130N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| पैकेज / केस | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Part Family | — | OptiMOS 25V / 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | — | 10 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 35 A |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 13 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | — | 2.2 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 25 W |
| पैकेज | — | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial (non-automotive) |