BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ068N06NSATMA1 द्वारा Infineon और IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ068N06NSATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55 C to +175 C (TJ) |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| पैकेज / केस | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |