BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ068N06NSATMA1 tarafından Infineon ve IPB110P06LMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ068N06NSATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55 C to +175 C (TJ) |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Paket / Kas | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |