BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ068N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ068N06NSATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | -55 C to +175 C (TJ) |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |