BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ150N10LS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSZ018NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Technology / Family OptiMOS 3 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ —
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
पावर डिसिपेशन (TC=25°C) 63 W —
पैकेज PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C
Technology — OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Lead-Free — Yes

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