BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ150N10LS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ018NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 63 W | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| Technology | — | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Lead-Free | — | Yes |