EP3C25F324C8N vs EP3C25F324I7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C25F324C8N द्वारा Intel और EP3C25F324I7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C25F324C8N | EP3C25F324I7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Family | Cyclone III | — |
| Series | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements (LEs) | 24,624 | 24,624 |
| Total Memory Bits | 608,256 bits | — |
| Embedded Memory (Kbits) | 608 Kbits | — |
| Number of I/O | 215 | — |
| पैकेज | 324-BGA (FineLine) | 324-ball FBGA (FineLine BGA), 19 x 19 mm, 1.0 mm pitch |
| Supply Voltage - Core | 1.2 V | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (commercial, suffix C) | — |
| Speed Grade | 8 | — |
| Total RAM Bits | 608,256 | — |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Number of Multipliers (18x18) | 66 | — |
| Number of PLLs | 4 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 1,539 |
| Embedded Memory | — | 608,256 bits (594 Kbits M9K blocks) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 66 |
| PLLs | — | 4 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Maximum User I/O | — | 215 |
| Process Technology | — | TSMC 65 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (per bank) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -40 °C to +100 °C (industrial) |
| Configuration Modes | — | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG |