EP3SE260H780C3N vs EP3SE260H780C4L तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C3N द्वारा Intel और EP3SE260H780C4L द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260H780C3N EP3SE260H780C4L
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Series Stratix® III E —
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
पैकेज 780-BBGA, FCBGA (H780) 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (flip-chip BGA)
ऑपरेटिंग तापमान 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) —
Process Technology 40 nm CMOS —
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Up to 24 multi-gigabit transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant (lead-free per datasheet)
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Family — Stratix III E
Logic Elements — 255,000
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Speed Grade — C4 (middle/slow tier)
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — 0C to +85C (commercial)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

डेटाशीट और संसाधन

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