EP3SE260H780C3N vs EP3SE260H780C4L השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE260H780C3N מאת Intel ו EP3SE260H780C4L מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE260H780C3N EP3SE260H780C4L
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
Series Stratix® III E —
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
מארז 780-BBGA, FCBGA (H780) 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (flip-chip BGA)
טמפרטורת פעולה 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) —
Process Technology 40 nm CMOS —
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Up to 24 multi-gigabit transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant (lead-free per datasheet)
רמת רגישות ללחות (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Family — Stratix III E
Logic Elements — 255,000
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Speed Grade — C4 (middle/slow tier)
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
טמפרטורת צומת פעולה — 0C to +85C (commercial)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר