EP3SE260H780C3N vs EP3SE260H780C4L So sánh

So sánh chi tiết song song của EP3SE260H780C3N bằng Intel và EP3SE260H780C4L bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số EP3SE260H780C3N EP3SE260H780C4L
Thương hiệu Intel Intel
Danh mục FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Trạng thái vòng đời Hoạt động NRND
Series Stratix® III E —
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
Hộp 780-BBGA, FCBGA (H780) 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (flip-chip BGA)
Nhiệt độ hoạt động 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) —
Process Technology 40 nm CMOS —
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Up to 24 multi-gigabit transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] —
Trạng thái RoHS Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant (lead-free per datasheet)
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Family — Stratix III E
Logic Elements — 255,000
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Speed Grade — C4 (middle/slow tier)
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — 0C to +85C (commercial)
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá