EP3SE260H780C4LN vs EP3SE260H780C4L तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C4LN द्वारा Intel और EP3SE260H780C4L द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260H780C4LN | EP3SE260H780C4L |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | NRND |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 384 | — |
| User I/O Count | 488 | 488 |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) |
| Speed Grade | C4 (commercial, moderate speed) | C4 (middle/slow tier) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | — |
| Core Voltage (VCC) | 1.0 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) | 2.5 V / 3.0 V | — |
| PLLs | 8 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Process Node | 40 nm TSMC | — |
| Configuration Modes | FPP, AS, PS, JTAG | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free per datasheet) |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| LABs/CLBs | — | 10,200 |
| Total RAM Bits | — | 16,672,768 (16.7 Mbit) |
| Core Voltage | — | 0.9 V (nominal) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | 0C to +85C (commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (flip-chip BGA) |
| Transceivers | — | Up to 24 multi-gigabit transceivers |
| Memory Interface | — | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers |
| Configuration Mode | — | PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ |