EP3SE50F780C4L vs EP3SE50F780C4G तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F780C4L द्वारा Intel और EP3SE50F780C4G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F780C4L EP3SE50F780C4G
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Series Stratix III E Stratix III
Family Stratix III Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Embedded Memory 5,760,000 bits 5.76 Mbit (5760000 bit)
User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 304 (19x16) —
पैकेज 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) 780-ball FBGA (FCBGA)
Process Node 40 nm —
Core Voltage 1.1 V —
Speed Grade C4 (commercial, speed 4) —
Lead-Free (L suffix) Yes —
Configuration Method Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG / Enhanced —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: full industrial/commercial grade] —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free) Compliant
Transceivers [DATA_NEEDED: per Stratix III E variant] —
PLLs [DATA_NEEDED: PLL count] —
Logic Elements — 47,500 LE
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Number of I/Os — 488
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count from datasheet]
Number of Multipliers (18x18) — [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count]
Process Technology — 40 nm TSMC
Core Supply Voltage — 1.1 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0 C to +85 C (commercial)
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount (SMD/SMT)
Lead-Free — Yes
MSL स्तर — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Memory — SRAM-based (volatile, requires configuration device)
Design Software — Quartus II

डेटाशीट और संसाधन

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