H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G6NBJR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN4G6NBJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-UHC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
इंटरफ़ेस CMOS, fully synchronous —
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet —
Self Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
Data Mask Function Yes Yes (DM)
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Die Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
मेमोरी आकार — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Technology — CMOS
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +95C
पैकेज — FBGA-96 (PBGA-96)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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