H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN4G6NBJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
संगठन 512M x 8 256M x 16
इंटरफ़ेस DDR4 (Double Data Rate IV) CMOS, fully synchronous
पैकेज 78-ball FBGA —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
डेटा दर [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS स्थिति Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) —
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

डेटाशीट और संसाधन

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