H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-RDC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-RDC توسط SK hynix و H5AN4G6NBJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
سازمان 512M x 8 256M x 16
رابط DDR4 (Double Data Rate IV) CMOS, fully synchronous
بسته‌بندی 78-ball FBGA —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
نرخ داده [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Termination On-Die Termination (ODT) —
وضعیت RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) —
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت