H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynix ve H5AN4G6NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organizasyon 512M x 8 256M x 16
Arayüz DDR4 (Double Data Rate IV) CMOS, fully synchronous
Paket 78-ball FBGA —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Veri Hızı [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS Durumu Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) —
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin