H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NCJR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NDJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) 3200 Mbps (PC4-25600)
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
पैकेज FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (13x7.5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

डेटाशीट और संसाधन

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