H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NDJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) 3200 Mbps (PC4-25600)
جهد التغذية 1.2 V —
العلبة FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (13x7.5 mm)
نوع التركيب Surface Mount (BGA) —
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر