H5AN8G8NCJR-VKI vs K4A8G085WC-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-VKI द्वारा SK hynix और K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NCJR-VKI | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| पैकेज | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +95C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Synchronous, parallel |