H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG8NCR-RDC द्वारा SK hynix और H5ANAG8NCJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5ANAG8NCR-RDC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $65.63 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| संगठन | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) | — |
| Family | H5ANAG8N 16Gb DDR4 | — |
| Application Segment | Main memory (server, networking, industrial, embedded) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| डेटा दर | — | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |