H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCJR-XNC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG8NCR-RDC توسط SK hynix و H5ANAG8NCJR-XNC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG8NCR-RDC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $65.63 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| بستهبندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) | — |
| Family | H5ANAG8N 16Gb DDR4 | — |
| Application Segment | Main memory (server, networking, industrial, embedded) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| نرخ داده | — | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |