H5TC4G63AFR-G7A vs K4B4G1646D-BYK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix और K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-G7A | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| डेटा दर | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1600 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (case) | 0°C to 85°C |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 11) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Process Technology | CMOS | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |