H5TC4G63AFR-G7A vs K4B4G1646D-BYK00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-G7A מאת SK hynix ו K4B4G1646D-BYK00 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-G7A | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1600 Mbps |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (case) | 0°C to 85°C |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 11) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| Process Technology | CMOS | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |