H5TC4G63AFR-G7A vs K4B4G1646D-BYK00 So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-G7A bằng SK hynix và K4B4G1646D-BYK00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-G7A K4B4G1646D-BYK00
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35V 1.35 V (also operates at 1.5 V)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps
Hộp 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (case) 0°C to 85°C
Latency CAS Programmable (e.g., 11) Programmable
Burst Length 8 and 4 —
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
Process Technology CMOS —
Number of Terminals — 96
Additional Features — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination
Package Shape — RECTANGULAR
Temperature Grade — OTHER

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá