H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-H9J द्वारा SK hynix और IS43TR16256AL-125KBLI-TR द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ सक्रिय
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-H9J IS43TR16256AL-125KBLI-TR
ब्रांड SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $8.25
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
संगठन 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
पैकेज 96-ball TFBGA 96-TWBGA (9x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
मेमोरी आकार — 4Gbit (256M x 16)
डेटा बस चौड़ाई — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
डेटा दर — 1600 Mbps
CAS लेटेंसी — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +95°C (TC)
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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