H5TC4G63CFR-H9J vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-H9J توسط SK hynix و IS43TR16256AL-125KBLI-TR توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ فعال
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5TC4G63CFR-H9J IS43TR16256AL-125KBLI-TR
برند SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $8.25
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
سازمان 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
بسته‌بندی 96-ball TFBGA 96-TWBGA (9x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
عرض گذرگاه داده — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
نرخ داده — 1600 Mbps
تأخیر CAS — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
محدوده دمای کاری — -40°C to +95°C (TC)
نوع نصب — Surface Mount
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت